Bulkstrom Bezieht sich auf den Strom der elektrischen Ladung durch den größten Teil eines Halbleitermaterials im Gegensatz zum Ladungsfluss an der Oberfläche oder entlang der Materialskanten. Der Schüttstrom wird von freien Trägern (Elektronen und Löchern) getragen, die im Halbleiter durch thermische Energie, optische Anregung oder andere Mittel erzeugt werden.
Die Schüttstromdichte, j , wird durch das Produkt der Trägerkonzentration angegeben, n , die Trägermobilität, μ und das elektrische Feld, e :
j =neμe
Wo:
* n ist die Trägerkonzentration (cm
-3
)
* μ ist die Trägermobilität (cm
2
/Vs)
* e ist das elektrische Feld (v/cm)
Der Schüttstrom ist ein wichtiger Parameter in Halbleitergeräten, da er die Menge des Stroms bestimmt, die durch das Gerät fließen können. Die Schüttstromdichte kann durch Variieren der Trägerkonzentration, der Trägermobilität oder des elektrischen Feldes gesteuert werden.
Zusätzlich zu seiner Rolle in Halbleitergeräten ist der Schüttstrom auch in einer Reihe anderer Anwendungen wie Fotodioden, Solarzellen und lichtemittierenden Dioden (LEDs) wichtig.
